Transistor MOSFET SI4894BDY-T1-E3

$6.00

MOSFET 30V 12V 1.4W
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel

4 disponibles

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Descripción

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 V
Id – Corriente de drenaje continua: 12 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 11 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg – Carga de puerta: 20 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 2.5 W
Modo canal: Enhancement

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