Descripción
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 20 V
Id – Corriente de drenaje continua: 2.9 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 57 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 8 V, + 8 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 850 mV
Qg – Carga de puerta: 3.5 nC
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 860 mW
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: TrenchFET
Serie: SI2
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7 ns
Altura: 1.45 mm
Longitud: 2.9 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 7 ns
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