Transistor IGBT SGT40N60NPFDPN

$82.00

Transistor parada de campo IGBT
Modelo SGT40N60NPFDPN

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Descripción

Voltaje colector a emisor VCE: 600 V
Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V
Ic actual del colector:
TC=25°C CI: 80 A
CT=100°C: 40
Corriente de colector pulsada ICM: 120 A
Máxima disipación de potencia (TC=25°C) PD:
290W
2,32W/°C
Temperatura de unión de funcionamiento TJ: -55~+175 °C
Rango de temperatura de almacenamiento Tstg: -55~+175 °C

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