Descripción
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Id – Corriente de drenaje continua: 1.1 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 450 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
Qg – Carga de puerta: –
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 850 mW
Modo canal: Enhancement
Serie: ZVN4306
Empaquetado: Bulk
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
Tiempo de caída: 16 ns
Transconductancia hacia delante – Mín.: 700 mS
Altura: 4.01 mm
Longitud: 4.77 mm
Producto: MOSFET Small Signals
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 25 ns
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